IGBT测试难点：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。
车规IGBT测试静态测试系统认准武汉生产厂家普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。
车规IGBT测试静态测试系统简介
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，p电流精准测量等特点。高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。
产品特点
高电压：高达3KV高电压测试；
大电流：高达4KA大电流测试；
高精度：uΩ级电阻、p电流、uV级精准测量；
丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
配置导出：一键导出参数配置及一键启动测试功能；
数据预览及导出：图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
模块化设计：内部采用模块化结构设计，可配置，方便维护；
可拓展：拓展温控功能，方便系统运行温度；
可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；
技术指标
IGBT静态参数测试系统应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；