LDO芯片电学特性测试仪器

更新时间: 2024-05-02 21:22:14
品牌: 普赛斯仪表
尺寸: 425*255*106mm
测试范围: 0.3mV-300V/100pA-1A
工作环境: 25±10℃
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 湖北 武汉市
有效期至: 长期有效
浏览次数: 43
 
资料
详细说明
LDO芯片电学特性测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯S系列高精度源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品较大输出电压达300V,小测试电流量程低至100pA,四象限工作,因此,可广泛应用于LDO类芯片测试。

 

概述

LDO,全称为“Low Dropout Regulator”,是一种低压差线性稳压元器件。其工作原理为,使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管(FET),从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。相比于传统的DC-DC变换器,LDO具有成本低,噪音低,静态电流小的特点,需要的外接元件也很少,因此,LDO广泛应用于需要稳压输出的场景。

                      

  (UTC78XX系列LDO封装以及内部电路示意图

 

        

 (普赛斯S系列源表)                             (UTC7805 LDO电参数规格书

 

源表,SMU(Source Measure Unit)电源/测量单元,“源”为电压源和电流源,“表”为测量表,“源表”即指一种可作为四象限的电压源或电流源提供的电压或电流,同时可同步测量电流值或电压值的测量仪表。普赛斯S系列高精度源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品较大输出电压达300V,小测试电流量程低至100pA,四象限工作,因此,可广泛应用于LDO类芯片测试。

 

 

常用电性能参数测试

LDO常用的电性能参数测试,主要包括输出电压、输入输出电压差、线性调整率、负载调整率、静态电流等。由于LDO的测试需要分别采集输入与输出端的数据,因此一般情况下,测试系统至少需要配置2台SMU,并采用上位机软件(PssSMUTools)进行控制。(以下测试均参考UTC7805规格进行)

 

 

测试方案

Vo输出电压测试

Vo输出电压,是LDO在正常工作下的稳定输出电压值。当加载在LDO输入端的工作电压,在规定范围内变动时,LDO的输出电压Vo稳定在特定范围内。常用测试方法为,在LDO的输入端,加载稳定变化的电压,同时测量对应的输出端电压值。一般采用二线法连接即可。(参考UTC7805规格书,其规格参数5V左右)

操作步骤

步骤

操作方法

操作界面

选择测试模式

在上位机软件内,选择【晶体管】—>【MOS管测量】

 

 

设置SMU参数

根据实际测试需要,分别设置SMU的参数。比如【起始值】,【限值】,【扫描点数】等。其中,SMU 1的主要作用是,作为输入电压源,而SMU 2则作为电压表

 

启动测试

点击运行图标“”,即可启动测试

/

测试数据

待测试完毕后,分别点击【表格】,【图形】,可查看相应的数据与图形

 

 

 

Voi输入输出电压差,ΔVo线性调整率测试

Voi输入输出电压差,是LDO正常工作时输入端与输出端的小电压差值。ΔVo线性调整率是输入电压变化后对输出电压造成的影响。常用测试方法为,在LDO的输入端,加载稳定变化的电压,同时测量对应的输出端电压值,并计算两端电压测差值,或者输出端的变化值。此外,为降低测试中线材的干扰,输入输出电压差测试可采用4线连接法进行测量。(参考UTC7805规格书,Voi值为2V左右,ΔVo值为4mV左右)

操作步骤

步骤

操作方法

操作界面

选择测试模式

在上位机软件内,选择【晶体管】—>【MOS管测量】

 

 

设置SMU参数

根据实际测试需要,分别设置SMU的参数。比如【起始值】,【限值】,【扫描点数】等。其中,SMU 1的主要作用是,作为输入电压源,而SMU 2则作为电压表

 

启动测试

点击运行图标“”,即可启动测试

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测试数据

待测试完毕后,分别点击【表格】,【图形】,可查看相应的数据与图形

 

 

 

 

ΔVoload负载调整率测试

ΔVoload负载调整率是输出端接不同负载,输出端电压的变化。由于源表可以直接当电子负载,所以可以直接让源表做负载。常用测试方法为,保持LDO输入端电压稳定不变,在LDO的输出端,加载不同的电流值,同时测量对应的输出端电压值,并计算输出端的电压变化值。此外,为降低测试中线材的干扰,该测试可采用4线连接法进行测量。(参考UTC7805规格书,ΔVoload值为4mV左右)

操作步骤

步骤

操作方法

操作界面

选择测试模式

在上位机软件内,选择【晶体管】—>【MOS管测量】

 

 

设置SMU参数

根据实际测试需要,分别设置SMU的参数。比如【起始值】,【限值】,【扫描点数】等。其中,SMU 1的主要作用是,作为稳定的输入源,而SMU 2则作为负载,同时测量负载两端的电压。

 

启动测试

点击运行图标“”,即可启动测试

/

测试数据

待测试完毕后,分别点击【表格】,【图形】,可查看相应的数据与图形。根据测试需要,设置不同的输出电流参数,进行多次测试。

 

 

 

 

IQ静态电流测试测试

IQ静态电流,是指输出端空载时,输入端流进的电流。常用测试方法为,断开LDO的输出端的连接,加载不同的电流值,在LDO输入端加载电压,并测量对应的输入端电流值。(参考UTC7805规格书,IQ值为5mA左右)

 

(连接示意图)

操作步骤

步骤

操作方法

操作界面

选择测试模式

在上位机软件内,选择【数据记录仪】

 

 

设置SMU参数

根据实际测试需要,分别设置SMU的参数。比如【起始值】,【限值】,【扫描点数】等。

 

启动测试

点击运行图标“”,即可启动测试

/

测试数据

待测试完毕后,分别点击【表格】,【图形】,可查看相应的数据与图形。

 

 

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