IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件，期间经常使用在强电流高电压的场景中，如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成，兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点，IGBT是电力电子设备的“cpu”，被国家列为重点研究对象。
IGBT测试难点：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。
IGBT模组静态参数测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。恒压恒流工作模式，同时丰富的I-V扫描模式。
技术指标
电压性能参数：
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电压 |
源 |
测量 |
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量程 |
分辨率 |
准确度&plun;(% rdg.+volts) |
分辨率 |
准确度&plun;(% rdg.+volts) |
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100V |
10mV |
0.1%&plun;40mV |
10mV |
0.1%&plun;40mV |
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600V |
60mV |
0.1%&plun;100mV |
60mV |
0.1%&plun;100mV |
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1000V |
100mV |
0.1%&plun;300mV |
100mV |
0.1%&plun;300mV |
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1500V |
150mV |
0.1%&plun;400mV |
150mV |
0.1%&plun;400mV |
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2200V |
220mV |
0.1%&plun;700mV |
200mV |
0.1%&plun;700mV |
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3000V |
300mV |
0.1%&plun;900mV |
300mV |
0.1%&plun;900mV |
电流性能参数：
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电流 |
源 |
测量 |
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量程 |
分辨率 |
准确度&plun;(% rdg.+volts) |
分辨率 |
准确度&plun;(% rdg.+volts) |
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1uA |
100pA |
0.1%&plun;1nA |
100pA |
0.1%&plun;1nA |
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10uA |
1nA |
0.1%&plun;5nA |
1nA |
0.1%&plun;5nA |
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100uA |
10nA |
0.1%&plun;50nA |
10nA |
0.1%&plun;50nA |
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1mA |
100nA |
0.1%&plun;300nA |
100nA |
0.1%&plun;300nA |
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10mA |
1uA |
0.1%&plun;5uA |
1uA |
0.1%&plun;5uA |
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100mA |
10uA |
0.1%&plun;10uA |
10uA |
0.1%&plun;10uA |
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
IGBT模组静态参数测试仪器订货信息
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型号 |
E100 |
E200 |
E300 |
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源精度 |
0.1% |
0.1% |
0.1% |
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测量精度 |
0.1% |
0.1% |
0.1% |
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较大功率 |
100W |
220W |
300W |
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小电压量程 |
100V |
100V |
100V |
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较大电压量程 |
1000V |
2200V |
3000V |
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小电流量程 |
1uA |
1uA |
1uA |
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较大电流量程 |
100mA |
100mA |
100mA |
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